P-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2301CDS-T1-GE3

RS tilauskoodi: 710-3238PTuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SI2301CDS-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

112 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

860 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

3.3 nC @ 2.5 V, 5.5 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Width

1.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.02mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,403

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,50

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2301CDS-T1-GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,403

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,50

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2301CDS-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
20 - 180€ 0,403€ 8,06
200 - 480€ 0,322€ 6,44
500 - 980€ 0,242€ 4,84
1000 - 1980€ 0,202€ 4,04
2000+€ 0,181€ 3,62

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

112 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

860 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

3.3 nC @ 2.5 V, 5.5 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Width

1.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.02mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor