P-Channel MOSFET, 4.7 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2365EDS-T1-GE3

RS tilauskoodi: 812-3139PTuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SI2365EDS-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4.7 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

67.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

1.7 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

23.8 nC @ 8 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-50 °C

Height

1.02mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,318

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,394

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 4.7 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2365EDS-T1-GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,318

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,394

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 4.7 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2365EDS-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
50 - 450€ 0,318€ 15,90
500 - 1200€ 0,223€ 11,15
1250 - 2450€ 0,175€ 8,75
2500 - 4950€ 0,159€ 7,95
5000+€ 0,127€ 6,35

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4.7 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

67.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

1.7 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

23.8 nC @ 8 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-50 °C

Height

1.02mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor