N-Channel MOSFET, 12.7 A, 25 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4116DY-T1-GE3

RS tilauskoodi: 710-3317PTuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SI4116DY-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12.7 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

4mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

17.5 nC @ 4.5 V, 37 nC @ 10 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.55mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,25

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 1,55

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 12.7 A, 25 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4116DY-T1-GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,25

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 1,55

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 12.7 A, 25 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4116DY-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
5 - 45€ 1,25€ 6,25
50 - 245€ 1,20€ 6,00
250 - 495€ 1,05€ 5,25
500 - 1245€ 1,00€ 5,00
1250+€ 0,941€ 4,70

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12.7 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

4mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

17.5 nC @ 4.5 V, 37 nC @ 10 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.55mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor