N-Channel MOSFET, 10 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4840BDY-T1-GE3

RS tilauskoodi: 710-4736PTuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SI4840BDY-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.56 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

18.5 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.55mm

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,95

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 2,418

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 10 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4840BDY-T1-GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,95

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 2,418

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 10 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4840BDY-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
5 - 45€ 1,95€ 9,75
50 - 120€ 1,80€ 9,00
125 - 245€ 1,65€ 8,25
250 - 495€ 1,55€ 7,75
500+€ 1,45€ 7,25

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.56 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

18.5 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.55mm

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor