Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PowerPAK ChipFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
9.47 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
31 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Width
1.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26.2 nC @ 10 V
Height
0.8mm
Series
TrenchFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,519
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,644
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
€ 0,519
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,644
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
Osta irtotavarana
Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
---|---|---|
10 - 40 | € 0,519 | € 5,19 |
50 - 140 | € 0,492 | € 4,92 |
150 - 740 | € 0,396 | € 3,96 |
750 - 1490 | € 0,327 | € 3,27 |
1500+ | € 0,261 | € 2,61 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PowerPAK ChipFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
9.47 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
31 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Width
1.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26.2 nC @ 10 V
Height
0.8mm
Series
TrenchFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tuotetiedot