N-Channel MOSFET, 25 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET Vishay SI5448DU-T1-GE3

RS tilauskoodi: 134-9715Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SI5448DU-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PowerPAK ChipFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

9.47 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

31 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+20 V

Width

1.9mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

26.2 nC @ 10 V

Height

0.8mm

Series

TrenchFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,519

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,644

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 25 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET Vishay SI5448DU-T1-GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,519

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,644

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 25 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET Vishay SI5448DU-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 40€ 0,519€ 5,19
50 - 140€ 0,492€ 4,92
150 - 740€ 0,396€ 3,96
750 - 1490€ 0,327€ 3,27
1500+€ 0,261€ 2,61

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PowerPAK ChipFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

9.47 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

31 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+20 V

Width

1.9mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

26.2 nC @ 10 V

Height

0.8mm

Series

TrenchFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor