Dual N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9945BDY-T1-GE3

RS tilauskoodi: 787-8995Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SI9945BDY-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.3 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

72 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

13 nC @ 10 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Number of Elements per Chip

2

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,842

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,044

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9945BDY-T1-GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,842

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,044

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9945BDY-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 90€ 0,842€ 8,42
100 - 240€ 0,791€ 7,91
250 - 490€ 0,716€ 7,16
500 - 990€ 0,674€ 6,74
1000+€ 0,633€ 6,33

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.3 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

72 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

13 nC @ 10 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Number of Elements per Chip

2

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja