N-Channel MOSFET, 19 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR462DP-T1-GE3

RS tilauskoodi: 710-3402PTuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SIR462DP-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

19 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

4.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

4.9mm

Width

5.89mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.04mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,366

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,454

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 19 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR462DP-T1-GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,366

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,454

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 19 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR462DP-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

19 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

4.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

4.9mm

Width

5.89mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.04mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor