N-Channel MOSFET, 24.2 A, 250 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR692DP-T1-RE3

RS tilauskoodi: 134-9163Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SIR692DP-T1-RE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24.2 A

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

67 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

104 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5.26mm

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

25.3 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.25mm

Height

1.12mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,10

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1,364

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 24.2 A, 250 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR692DP-T1-RE3

€ 1,10

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1,364

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 24.2 A, 250 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR692DP-T1-RE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24.2 A

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

67 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

104 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5.26mm

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

25.3 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.25mm

Height

1.12mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor