N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 8-Pin D2PAK Vishay SUM50020E-GE3

RS tilauskoodi: 134-9166Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SUM50020E-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

2.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.41mm

Typical Gate Charge @ Vgs

126 nC @ 10 V

Width

9.65mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.5V

Height

4.82mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,501

1 kpl (800 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,621

1 kpl (800 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 8-Pin D2PAK Vishay SUM50020E-GE3

€ 0,501

1 kpl (800 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,621

1 kpl (800 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 8-Pin D2PAK Vishay SUM50020E-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

2.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.41mm

Typical Gate Charge @ Vgs

126 nC @ 10 V

Width

9.65mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.5V

Height

4.82mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor