Vishay 600V 30A, Silicon Junction Diode, 3-Pin D2PAK VS-ETH3006S-M3

RS tilauskoodi: 748-1229Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: VS-ETH3006S-M3
brand-logo

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

D2PAK (TO-263)

Maximum Continuous Forward Current

30A

Peak Reverse Repetitive Voltage

600V

Diode Configuration

Single

Rectifier Type

Fast Recovery

Diode Type

Silicon Junction

Pin Count

3

Maximum Forward Voltage Drop

2.65V

Number of Elements per Chip

1

Diode Technology

Silicon Junction

Peak Reverse Recovery Time

70ns

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current

180A

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,95

kpl (ilman ALV)

€ 2,42

kpl (Sis ALV:n)

Vishay 600V 30A, Silicon Junction Diode, 3-Pin D2PAK VS-ETH3006S-M3

€ 1,95

kpl (ilman ALV)

€ 2,42

kpl (Sis ALV:n)

Vishay 600V 30A, Silicon Junction Diode, 3-Pin D2PAK VS-ETH3006S-M3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

D2PAK (TO-263)

Maximum Continuous Forward Current

30A

Peak Reverse Repetitive Voltage

600V

Diode Configuration

Single

Rectifier Type

Fast Recovery

Diode Type

Silicon Junction

Pin Count

3

Maximum Forward Voltage Drop

2.65V

Number of Elements per Chip

1

Diode Technology

Silicon Junction

Peak Reverse Recovery Time

70ns

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current

180A

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja