Vishay VS-GB90DA120U IGBT, 149 A 1200 V, 4-Pin SOT-227, Panel Mount

RS tilauskoodi: 877-6411Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: VS-GB90DA120U
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Maximum Continuous Collector Current

149 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

862 W

Package Type

SOT-227

Mounting Type

Panel Mount

Channel Type

N

Pin Count

4

Switching Speed

60kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

38.3 x 25.7 x 12.3mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Alkuperämaa

Philippines

Tuotetiedot

IGBT Modules, Vishay

Vishay’s high-efficiency IGBT modules come with a choice of PT, NPT, and Trench IGBT technologies. The range includes single switches, inverters, choppers, half-bridges, or in custom configurations. These IGBT Modules are designed to be used as a main switching device in switch mode power supplies, uninterruptible power supplies, industrial welding, motor drives, and power factor correction systems.

Typical applications include boost and buck converters, forward and double forward converters, half bridges, full bridges (H-bridge), and three-phase bridges.

IGBT Modules, Vishay

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 87,00

kpl (ilman ALV)

€ 107,88

kpl (Sis ALV:n)

Vishay VS-GB90DA120U IGBT, 149 A 1200 V, 4-Pin SOT-227, Panel Mount

€ 87,00

kpl (ilman ALV)

€ 107,88

kpl (Sis ALV:n)

Vishay VS-GB90DA120U IGBT, 149 A 1200 V, 4-Pin SOT-227, Panel Mount
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 1€ 87,00
2 - 4€ 85,00
5+€ 82,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Maximum Continuous Collector Current

149 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

862 W

Package Type

SOT-227

Mounting Type

Panel Mount

Channel Type

N

Pin Count

4

Switching Speed

60kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

38.3 x 25.7 x 12.3mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Alkuperämaa

Philippines

Tuotetiedot

IGBT Modules, Vishay

Vishay’s high-efficiency IGBT modules come with a choice of PT, NPT, and Trench IGBT technologies. The range includes single switches, inverters, choppers, half-bridges, or in custom configurations. These IGBT Modules are designed to be used as a main switching device in switch mode power supplies, uninterruptible power supplies, industrial welding, motor drives, and power factor correction systems.

Typical applications include boost and buck converters, forward and double forward converters, half bridges, full bridges (H-bridge), and three-phase bridges.

IGBT Modules, Vishay

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja