MOSFET Transistors

Näet nyt 1 - 20 kaikkiaan 7828 tuloksesta
Näytä:
Tuloksia per sivu
20
  • 20
  • 50
  • 100
Hinta
(Näytetty hinta ei sisällä alv:a)
Osan tiedot Merkki Uutuudet Channel Type Maximum Continuous Drain Current Maximum Drain Source Voltage Maximum Drain Source Resistance Maximum Gate Threshold Voltage Minimum Gate Threshold Voltage Maximum Gate Source Voltage Package Type Mounting Type Pin Count Transistor Configuration Channel Mode Category Maximum Power Dissipation Width Series Typical Power Gain Typical Turn-On Delay Time Typical Turn-Off Delay Time Transistor Material Forward Transconductance Minimum Operating Temperature Typical Input Capacitance @ Vds Typical Gate Charge @ Vgs Maximum Operating Temperature Height Number of Elements per Chip Length Forward Diode Voltage Dimensions
Infineon BUZ30A N-channel MOSFET Transistor, 21 A, 200 V SIPMOS, 3-Pin TO-220 Infineon vain uudet tuotteet N 21 A 200 V 130 mΩ 4V 2.1V ±20 V TO-220 Through Hole 3 - Enhancement Power MOSFET 125 W 4.4mm SIPMOS - 30 ns 250 ns - - -55 °C 1400 pF @ 25 V - +150 °C 9.25mm 1 10mm - 10 x 4.4 x 9.25mm
Infineon IPP110N20N3 G N-channel MOSFET Transistor, 88 A, 200 V OptiMOS 3, 3-Pin TO-220 Infineon vain uudet tuotteet N 88 A 200 V 11 mΩ 4V 2V ±20 V TO-220 Through Hole 3 - Enhancement Power MOSFET 300 W 4.57mm OptiMOS 3 - 18 ns 41 ns - - -55 °C 5340 pF @ 100 V 65 nC @ 10 V +175 °C 9.45mm 1 10.36mm - 10.36 x 4.57 x 9.45mm
Infineon BSP171P P-channel MOSFET Transistor, 1.9 A, 60 V SIPMOS, 4-Pin SOT-223 Infineon vain uudet tuotteet P 1.9 A 60 V 300 mΩ 2V 1V ±20 V SOT-223 Surface Mount 4 - Enhancement Small Signal 1.8 W 3.5mm SIPMOS - 6 ns 208 ns - - -55 °C 365 pF @ 25 V 13 nC @ 10 V +150 °C 1.6mm 1 6.5mm - 6.5 x 3.5 x 1.6mm
Infineon IPW90R340C3 N-channel MOSFET Transistor, 15 A, 900 V CoolMOS C3, 3-Pin TO-247 Infineon vain uudet tuotteet N 15 A 900 V 340 mΩ 3.5V 2.5V ±20 V TO-247 Through Hole 3 - Enhancement Power MOSFET 208 W 5.21mm CoolMOS C3 - 70 ns 400 ns - - -55 °C 2400 pF @ 100 V 11 nC @ 10 V +150 °C 21.1mm 1 16.13mm - 16.13 x 5.21 x 21.1mm
Infineon IPB320N20N3 G N-channel MOSFET Transistor, 34 A, 200 V OptiMOS 3, 3-Pin TO-263 Infineon vain uudet tuotteet N 34 A 200 V 32 mΩ 4V 2V ±20 V TO-263 Surface Mount 3 - Enhancement Power MOSFET 136 W 9.45mm OptiMOS 3 - 11 ns 21 ns - - -55 °C 1770 pF @ 100 V 22 nC @ 10 V +175 °C 4.57mm 1 10.31mm - 10.31 x 9.45 x 4.57mm
Vishay SUM50020E-GE3 N-channel MOSFET, 120 A, 60 V, 8-Pin TO-263
  • RS-tuotekoodi 134-9166
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SUM50020E-GE3
Vishay vain uudet tuotteet N 120 A 60 V 2.6 mΩ 2.5V 1.2V ±20 V TO-263 Surface Mount 8 Single Enhancement Power MOSFET 375 W 9.65mm - - 15 ns 55 ns - 145s -55 °C 11113 pF @ 30 V 126 nC @ 10 V +175 °C 4.82mm 1 10.41mm 1.5V 10.41 x 9.65 x 4.82mm
IXYS IXFL100N50P N-channel MOSFET, 70 A, 500 V PolarHVTM HiPerFET, 3-Pin ISOPLUS264
  • RS-tuotekoodi 125-8039
  • Merkki IXYS
  • Valmistajan tuotenumero IXFL100N50P
IXYS vain uudet tuotteet N 70 A 500 V 52 mΩ 5V 3V ±30 V ISOPLUS264 Through Hole 3 - Enhancement Power MOSFET 625 W 5.21mm PolarHVTM HiPerFET - 36 ns 110 ns - 80s -55 °C 1700 pF @ 25 V 240 nC @ 10 V +150 °C 26.42mm 1 20.29mm 1.5V 20.29 x 5.21 x 26.42mm
IXYS IXFN200N10P N-channel MOSFET, 200 A, 100 V Polar HiPerFET, 4-Pin SOT-227B
  • RS-tuotekoodi 125-8040
  • Merkki IXYS
  • Valmistajan tuotenumero IXFN200N10P
IXYS vain uudet tuotteet N 200 A 100 V 7.5 mΩ 5V 3V ±20 V SOT-227B Surface Mount 4 - Enhancement Power MOSFET 680 W 25.07mm Polar HiPerFET - 30 ns 150 ns - 97s -55 °C 7600 pF @ 25 V 235 nC @ 10 V +175 °C 9.6mm 1 38.23mm 1.5V 38.23 x 25.07 x 9.6mm
IXYS IXFN360N10T N-channel MOSFET, 360 A, 100 V GigaMOS Trench HiperFET, 4-Pin SOT-227
  • RS-tuotekoodi 125-8041
  • Merkki IXYS
  • Valmistajan tuotenumero IXFN360N10T
IXYS vain uudet tuotteet N 360 A 100 V 2.6 mΩ 4.5V 2.5V ±20 V SOT-227 Surface Mount 4 - Enhancement Power MOSFET 830 W 25.07mm GigaMOS Trench HiperFET - 47 ns 80 ns - 180s -55 °C 3160 pF @ 25 V 525 nC @ 10 V +175 °C 9.6mm 1 38.23mm 1.2V 38.23 x 25.07 x 9.6mm
IXYS IXFN360N15T2 N-channel MOSFET, 310 A, 150 V GigaMOS TrenchT2 HiperFET, 4-Pin SOT-227
  • RS-tuotekoodi 125-8042
  • Merkki IXYS
  • Valmistajan tuotenumero IXFN360N15T2
IXYS vain uudet tuotteet N 310 A 150 V 4 mΩ 5V 2.5V ±20 V SOT-227 Surface Mount 4 - Enhancement Power MOSFET 1.07 kW 25.07mm GigaMOS TrenchT2 HiperFET - 50 ns 115 ns - 230s -55 °C 3060 pF @ 25 V 715 nC @ 10 V +175 °C 9.6mm 1 38.23mm 1.2V 38.23 x 25.07 x 9.6mm
IXYS IXFN420N10T N-channel MOSFET, 420 A, 100 V GigaMOS Trench HiperFET, 4-Pin SOT-227
  • RS-tuotekoodi 125-8043
  • Merkki IXYS
  • Valmistajan tuotenumero IXFN420N10T
IXYS vain uudet tuotteet N 420 A 100 V 2.3 mΩ 5V 2.5V ±20 V SOT-227 Surface Mount 4 - Enhancement Power MOSFET 1.07 kW 25.07mm GigaMOS Trench HiperFET - 47 ns 115 ns - 185s -55 °C 4390 pF @ 25 V 670 nC @ 10 V +175 °C 9.6mm 1 38.23mm 1.2V 38.23 x 25.07 x 9.6mm
IXYS IXFN44N100P N-channel MOSFET, 37 A, 1000 V Polar HiPerFET, 4-Pin SOT-227B
  • RS-tuotekoodi 125-8044
  • Merkki IXYS
  • Valmistajan tuotenumero IXFN44N100P
IXYS vain uudet tuotteet N 37 A 1000 V 220 mΩ 6.5V 3.5V ±30 V SOT-227B Surface Mount 4 - Enhancement Power MOSFET 890 W 25.07mm Polar HiPerFET - 60 ns 90 ns - 35s -55 °C 1060 pF @ 25 V 305 nC @ 10 V +150 °C 9.6mm 1 38.23mm 1.5V 38.23 x 25.07 x 9.6mm
IXYS IXFR140N30P N-channel MOSFET, 70 A, 300 V Polar HiPerFET, 3-Pin ISOPLUS247
  • RS-tuotekoodi 125-8045
  • Merkki IXYS
  • Valmistajan tuotenumero IXFR140N30P
IXYS vain uudet tuotteet N 70 A 300 V 26 mΩ 5V 3V ±20 V ISOPLUS247 Through Hole 3 - Enhancement Power MOSFET 300 W 5.21mm Polar HiPerFET - 30 ns 100 ns - 90s -55 °C 1830 pF @ 25 V 185 nC @ 10 V +150 °C 21.34mm 1 16.13mm 1.3V 16.13 x 5.21 x 21.34mm
IXYS IXTH110N25T N-channel MOSFET, 110 A, 250 V Trench, 3-Pin TO-247
  • RS-tuotekoodi 125-8047
  • Merkki IXYS
  • Valmistajan tuotenumero IXTH110N25T
IXYS vain uudet tuotteet N 110 A 250 V 24 mΩ 5V 3V ±20 V TO-247 Through Hole 3 - Enhancement Power MOSFET 694 W 5.3mm Trench - 19 ns 60 ns - 110s -55 °C 9400 pF @ 25 V 157 nC @ 10 V +150 °C 21.46mm 1 16.26mm 1.2V 16.26 x 5.3 x 21.46mm
IXYS IXTN200N10L2 N-channel MOSFET, 178 A, 100 V Linear L2, 4-Pin SOT-227
  • RS-tuotekoodi 125-8048
  • Merkki IXYS
  • Valmistajan tuotenumero IXTN200N10L2
IXYS vain uudet tuotteet N 178 A 100 V 11 mΩ 4.5V 2V ±20 V SOT-227 Surface Mount 4 - Enhancement Power MOSFET 830 W 25.07mm Linear L2 - 40 ns 127 ns - 90s -55 °C 3200 pF @ 25 V 540 nC @ 10 V +150 °C 9.6mm 1 38.23mm 1.4V 38.23 x 25.07 x 9.6mm
Infineon BSC009NE2LS5ATMA1 N-channel MOSFET, 100 A, 25 V OptiMOS 5, 8-Pin SuperSO
  • RS-tuotekoodi 133-6576
  • Merkki Infineon
  • Valmistajan tuotenumero BSC009NE2LS5ATMA1
Infineon vain uudet tuotteet N 100 A 25 V 1.25 mΩ 2V 1.2V +16 V SuperSO Surface Mount 8 Single Enhancement Power MOSFET 74 W 6.35mm OptiMOS 5 - 4 ns 30 ns Si 150s -55 °C 2900 pF @ 12 V 43 nC @ 10 V +150 °C 1.1mm 1 5.49mm 1V 5.49 x 6.35 x 1.1mm
Infineon BSC009NE2LS5ATMA1 N-channel MOSFET, 100 A, 25 V OptiMOS 5, 8-Pin SuperSO
  • RS-tuotekoodi 133-9834
  • Merkki Infineon
  • Valmistajan tuotenumero BSC009NE2LS5ATMA1
Infineon vain uudet tuotteet N 100 A 25 V 1.25 mΩ 2V 1.2V +16 V SuperSO Surface Mount 8 Single Enhancement Power MOSFET 74 W 6.35mm OptiMOS 5 - 4 ns 30 ns Si 150s -55 °C 2900 pF @ 12 V 43 nC @ 10 V +150 °C 1.1mm 1 5.49mm 1V 5.49 x 6.35 x 1.1mm
Infineon BSC009NE2LS5IATMA1 N-channel MOSFET, 100 A, 25 V OptiMOS 5, 8-Pin SuperSO
  • RS-tuotekoodi 133-6577
  • Merkki Infineon
  • Valmistajan tuotenumero BSC009NE2LS5IATMA1
Infineon vain uudet tuotteet N 100 A 25 V 1.35 mΩ 2V 1.2V +16 V SuperSO Surface Mount 8 Single Enhancement Power MOSFET 74 W 6.35mm OptiMOS 5 - 5 ns 27 ns Si 150s -55 °C 2400 pF @ 12 V 36 nC @ 10 V +150 °C 1.1mm 1 5.49mm 0.62V 5.49 x 6.35 x 1.1mm
Infineon BSC009NE2LS5IATMA1 N-channel MOSFET, 100 A, 25 V OptiMOS 5, 8-Pin SuperSO
  • RS-tuotekoodi 133-9881
  • Merkki Infineon
  • Valmistajan tuotenumero BSC009NE2LS5IATMA1
Infineon vain uudet tuotteet N 100 A 25 V 1.35 mΩ 2V 1.2V +16 V SuperSO Surface Mount 8 Single Enhancement Power MOSFET 74 W 6.35mm OptiMOS 5 - 5 ns 27 ns - 150s -55 °C 2400 pF @ 12 V 36 nC @ 10 V +150 °C 1.1mm 1 5.49mm 0.62V 5.49 x 6.35 x 1.1mm
Infineon BSC020N03LSGATMA1 N-channel MOSFET, 100 A, 30 V OptiMOS 3, 8-Pin TDSON
  • RS-tuotekoodi 133-6578
  • Merkki Infineon
  • Valmistajan tuotenumero BSC020N03LSGATMA1
Infineon vain uudet tuotteet N 100 A 30 V 2.9 mΩ 2.2V 1V +20 V TDSON Surface Mount 8 Single Enhancement Power MOSFET 96 W 6.35mm OptiMOS 3 - 11 ns 42 ns - 130s -55 °C 5400 pF @ 15 V 34 nC @ 4.5 V +150 °C 1.1mm 1 5.35mm 1.1V 5.35 x 6.35 x 1.1mm
Tarkista varastotilanteemme
Anna haluamasi määrä ja klikkaa 'Tarkista'. Varastosaldo päivitettiin
.
RS-tuotenumero:
Etsin 
Vertaa koko listaa
Voit vertailla korkeintaan 8 tuotetta kerraallaan

Tarkastele tai poista tuotteita Vertailusivulla
Näet nyt 1 - 20 kaikkiaan 7828 tuloksesta