MOSFET Transistors

Näet nyt 1 - 20 kaikkiaan 729 tuloksesta
Näytä:
Tuloksia per sivu
20
  • 20
  • 50
  • 100
Hinta
(Näytetty hinta ei sisällä alv:a)
Osan tiedot Merkki Channel Type Maximum Continuous Drain Current Maximum Drain Source Voltage Maximum Drain Source Resistance Maximum Gate Threshold Voltage Minimum Gate Threshold Voltage Maximum Gate Source Voltage Package Type Mounting Type Pin Count Transistor Configuration Channel Mode Category Maximum Power Dissipation Series Typical Turn-On Delay Time Typical Turn-Off Delay Time Typical Input Capacitance @ Vds Typical Gate Charge @ Vgs Dimensions Length Forward Diode Voltage Number of Elements per Chip Minimum Operating Temperature Width Maximum Operating Temperature Forward Transconductance Transistor Material Height
Vishay SI4599DY-T1-GE3 Dual N/P-channel MOSFET, 4.7 A, 6.8 A, 40 V, 8-Pin SOIC
  • RS-tuotekoodi 812-3233
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SI4599DY-T1-GE3
Vishay N, P 4.7 A, 6.8 A 40 V 42.5 mΩ, 62 mΩ - 1.2V ±20 V SOIC Surface Mount 8 Isolated Enhancement Power MOSFET 3 W, 3.1 W - 16 (N) ns, 44 (P) ns 16 ns, 28 ns 640 pF@ 20 V, 970 pF@ -20 V 11.7 nC @ 10 V, 25 nC @ 10 V 5 x 4 x 1.55mm 5mm - 2 -55 °C 4mm +150 °C - Si 1.55mm
Vishay SI7309DN-T1-E3 P-channel MOSFET, 3.9 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212
  • RS-tuotekoodi 710-3386
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SI7309DN-T1-E3
Vishay P 3.9 A 60 V 115 mΩ - 1V ±20 V PowerPAK 1212 Surface Mount 8 Single Enhancement Power MOSFET 3.2 W - 10 ns, 25 ns 30 ns, 33 ns 600 pF@ 30 V 14.5 nC @ 10 V 3.05 x 3.05 x 1.04mm 3.05mm - 1 -65 °C 3.05mm +150 °C - Si 1.04mm
Vishay IRFD210PBF N-channel MOSFET, 600 mA, 200 V, 4-Pin HVMDIP
  • RS-tuotekoodi 541-0531
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero IRFD210PBF
Vishay N 600 mA 200 V 1.5 Ω - 2V ±20 V HVMDIP Through Hole 4 Single Enhancement Power MOSFET 1 W - 8.2 ns 14 ns 140 pF @ 25 V 8.2 nC @ 10 V 5 x 6.29 x 3.37mm 5mm - 1 -55 °C 6.29mm +150 °C - Si 3.37mm
Vishay SI4840BDY-T1-GE3 N-channel MOSFET, 10 A, 40 V, 8-Pin SOIC
  • RS-tuotekoodi 710-4736
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SI4840BDY-T1-GE3
Vishay N 10 A 40 V 9 mΩ - 1V ±20 V SOIC Surface Mount 8 Single Enhancement Power MOSFET 1.56 W - 15 ns 50 ns - 18.5 nC @ 5 V 5 x 4 x 1.55mm 5mm - 1 -55 °C 4mm +150 °C - Si 1.55mm
Vishay SI1471DH-T1-GE3 P-channel MOSFET, 2.8 A, 30 V, 6-Pin SC-70
  • RS-tuotekoodi 710-3226
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SI1471DH-T1-GE3
Vishay P 2.8 A 30 V 100 mΩ - 0.6V ±12 V SC-70 Surface Mount 6 Single Enhancement Power MOSFET 1.5 W - 4 ns, 22 ns 20 ns, 23 ns 445 pF@ 15 V 6.5 nC @ 4.5 V 2 x 1.25 x 1mm 2mm - 1 -55 °C 1.25mm +150 °C - Si 1mm
Vishay IRFL014PBF N-channel MOSFET, 2.7 A, 60 V, 4-Pin SOT-223
  • RS-tuotekoodi 540-9733
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero IRFL014PBF
Vishay N 2.7 A 60 V 200 mΩ - 2V ±20 V SOT-223 Surface Mount 4 Single Enhancement Power MOSFET 2 W - 10 ns 13 ns 300 pF@ 25 V 11 nC @ 10 V 6.7 x 3.7 x 1.45mm 6.7mm - 1 -55 °C 3.7mm +150 °C - Si 1.45mm
SI6966EDQ, Dual N-Channel MOSFET Transistor 4A 20V, 8-Pin TSSOP
  • RS-tuotekoodi 647-2580
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SI6966EDQ
Vishay - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Vishay IRFR9220PBF P-channel MOSFET, 3.6 A, 200 V, 3-Pin DPAK
  • RS-tuotekoodi 540-9698
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero IRFR9220PBF
Vishay P 3.6 A 200 V 1.5 Ω - 2V ±20 V DPAK Surface Mount 3 Single Enhancement Power MOSFET 2.5 W - 8.8 ns 7.3 ns 340 pF@ 25 V 20 nC @ 10 V 6.73 x 6.22 x 2.39mm 6.73mm - 1 -55 °C 6.22mm +150 °C - Si 2.39mm
Vishay IRFP460BPBF N-channel MOSFET, 20 A, 500 V, 3-Pin TO-247AC
  • RS-tuotekoodi 787-9140
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero IRFP460BPBF
Vishay N 20 A 500 V 250 mΩ - 2V ±20 V TO-247AC Through Hole 3 Single Enhancement Power MOSFET 278 W D Series 24 ns 117 ns 3094 pF@ 10 V 85 nC @ 10 V 15.87 x 5.31 x 20.82mm 15.87mm - 1 -55 °C 5.31mm +150 °C - Si 20.82mm
Vishay SI4190ADY-T1-GE3 N-channel MOSFET, 18 A, 100 V, 8-Pin SOIC
  • RS-tuotekoodi 787-9235
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SI4190ADY-T1-GE3
Vishay N 18 A 100 V 2.2 Ω - 1.5V ±20 V SOIC Surface Mount 8 Single Enhancement - 6 W - 15 ns 34 ns 1970 pF @ 50 V 44.4 nC @ 10 V 5 x 4 x 1.5mm 5mm - 1 -55 °C 4mm +150 °C - Si 1.5mm
Vishay IRF510PBF N-channel MOSFET, 5.6 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB
  • RS-tuotekoodi 708-5134
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero IRF510PBF
Vishay N 5.6 A 100 V 540 mΩ - 2V ±20 V TO-220AB Through Hole 3 Single Enhancement Power MOSFET 43 W - 6.9 ns 15 ns 180 pF@ 25 V 8.3 nC @ 10 V 10.41 x 4.7 x 9.01mm 10.41mm - 1 -55 °C 4.7mm +175 °C - Si 9.01mm
Vishay IRFR110PBF N-channel MOSFET, 4.3 A, 100 V, 3-Pin DPAK
  • RS-tuotekoodi 540-9581
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero IRFR110PBF
Vishay N 4.3 A 100 V 540 mΩ - 2V ±20 V DPAK Surface Mount 3 Single Enhancement Power MOSFET 2.5 W - 6.9 ns 15 ns 180 pF@ 25 V 8.3 nC @ 10 V 6.73 x 6.22 x 2.39mm 6.73mm - 1 -55 °C 6.22mm +150 °C - Si 2.39mm
Vishay IRFD110 N-channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP
  • RS-tuotekoodi 541-1039
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero IRFD110PBF
Vishay N 1 A 100 V 540 mΩ - 2V ±20 V HVMDIP Through Hole 4 Single Enhancement Power MOSFET 1.3 W - 6.9 ns 15 ns 180 pF @ 25 V 8.3 nC @ 10 V 5 x 6.29 x 3.37mm 5mm - 1 -55 °C 6.29mm +175 °C - Si 3.37mm
Vishay IRFU9310PBF P-channel MOSFET, 1.8 A, 400 V, 3-Pin IPAK
  • RS-tuotekoodi 542-9967
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero IRFU9310PBF
Vishay P 1.8 A 400 V 7 Ω - 2V ±20 V IPAK Through Hole 3 Single Enhancement Power MOSFET 50 W - 11 ns 25 ns 270 pF@ 25 V 13 nC @ 10 V 6.73 x 2.38 x 6.22mm 6.73mm - 1 -55 °C 2.38mm +150 °C - Si 6.22mm
Vishay SIR462DP-T1-GE3 N-channel MOSFET, 19 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO
  • RS-tuotekoodi 710-3402
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SIR462DP-T1-GE3
Vishay N 19 A 30 V 8 mΩ - 1V ±20 V PowerPAK SO Surface Mount 8 Single Enhancement Power MOSFET 4.8 W - 20 ns 25 ns 1155 pF@ 15 V 20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V 4.9 x 5.89 x 1.04mm 4.9mm - 1 -55 °C 5.89mm +150 °C - Si 1.04mm
Vishay SI2301CDS-T1-GE3 P-channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23
  • RS-tuotekoodi 710-3238
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SI2301CDS-T1-GE3
Vishay P 2.3 A 20 V 112 mΩ - 0.4V ±8 V SOT-23 Surface Mount 3 Single Enhancement Power MOSFET 0.86 W - 11 ns 30 ns 405 pF @ 10 V 3.3 nC @ 2.5 V, 5.5 nC @ 4.5 V 3.04 x 1.4 x 1.02mm 3.04mm - 1 -55 °C 1.4mm +150 °C - Si 1.02mm
Vishay IRFD9120PBF P-channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP
  • RS-tuotekoodi 541-0553
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero IRFD9120PBF
Vishay P 1 A 100 V 600 mΩ - 2V ±20 V HVMDIP Through Hole 4 Single Enhancement Power MOSFET 1.3 W - 9.6 ns 21 ns 390 pF @ 25 V 18 nC @ 10 V 5 x 6.29 x 3.37mm 5mm - 1 -55 °C 6.29mm +175 °C - Si 3.37mm
Vishay SI2309CDS-T1-GE3 P-channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23
  • RS-tuotekoodi 710-3250
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SI2309CDS-T1-GE3
Vishay P 1.2 A 60 V 345 mΩ - 1V ±20 V SOT-23 Surface Mount 3 Single Enhancement Power MOSFET 1 W - 40 ns 15 ns 210 pF @ 30 V 2.7 nC @ 4.5 V 3.04 x 1.4 x 1.02mm 3.04mm - 1 -55 °C 1.4mm +150 °C - Si 1.02mm
Vishay SI4431CDY-T1-GE3 P-channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC
  • RS-tuotekoodi 812-3215
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SI4431CDY-T1-GE3
Vishay P 7.2 A 30 V 49 mΩ - 1V ±20 V SOIC Surface Mount 8 Single Enhancement Power MOSFET 4.2 W - 38 ns 23 ns 1006 pF @ -15 V 25 nC @ 10 V 5 x 4 x 1.55mm 5mm - 1 -55 °C 4mm +150 °C - Si 1.55mm
Vishay IRF540 N-channel MOSFET, 28 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB
  • RS-tuotekoodi 708-5143
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero IRF540PBF
Vishay N 28 A 100 V 77 mΩ - 2V ±20 V TO-220AB Through Hole 3 Single Enhancement Power MOSFET 150 W - 11 ns 53 ns 1700 pF@ 25 V 72 nC @ 10 V 10.41 x 4.7 x 9.01mm 10.41mm - 1 -55 °C 4.7mm +175 °C - Si 9.01mm
Tarkista varastotilanteemme
Anna haluamasi määrä ja klikkaa 'Tarkista'. Varastosaldo päivitettiin
.
RS-tuotenumero:
Etsin 
Vertaa koko listaa
Voit vertailla korkeintaan 8 tuotetta kerraallaan

Tarkastele tai poista tuotteita Vertailusivulla
Näet nyt 1 - 20 kaikkiaan 729 tuloksesta