MOSFET Transistors

Näet nyt 1 - 20 kaikkiaan 718 tuloksesta
Näytä:
Tuloksia per sivu
20
  • 20
  • 50
  • 100
Hinta
(Näytetty hinta ei sisällä alv:a)
Osan tiedot Merkki Channel Type Maximum Continuous Drain Current Maximum Drain Source Voltage Maximum Drain Source Resistance Maximum Gate Threshold Voltage Minimum Gate Threshold Voltage Maximum Gate Source Voltage Package Type Mounting Type Transistor Configuration Pin Count Channel Mode Category Maximum Power Dissipation Width Transistor Material Forward Transconductance Length Dimensions Height Minimum Operating Temperature Number of Elements per Chip Typical Gate Charge @ Vgs Typical Input Capacitance @ Vds Forward Diode Voltage Maximum Operating Temperature Series Typical Turn-On Delay Time Typical Turn-Off Delay Time
Vishay SI7309DN-T1-E3 P-channel MOSFET, 3.9 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212
  • RS-tuotekoodi 710-3386
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SI7309DN-T1-E3
Vishay P 3.9 A 60 V 115 mΩ - 1V ±20 V PowerPAK 1212 Surface Mount Single 8 Enhancement Power MOSFET 3.2 W 3.05mm Si - 3.05mm 3.05 x 3.05 x 1.04mm 1.04mm -65 °C 1 14.5 nC @ 10 V 600 pF@ 30 V - +150 °C - 10 ns, 25 ns 30 ns, 33 ns
Vishay SI4599DY-T1-GE3 Dual N/P-channel MOSFET, 4.7 A, 6.8 A, 40 V, 8-Pin SOIC
  • RS-tuotekoodi 812-3233
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SI4599DY-T1-GE3
Vishay N, P 4.7 A, 6.8 A 40 V 42.5 mΩ, 62 mΩ - 1.2V ±20 V SOIC Surface Mount Isolated 8 Enhancement Power MOSFET 3 W, 3.1 W 4mm Si - 5mm 5 x 4 x 1.55mm 1.55mm -55 °C 2 11.7 nC @ 10 V, 25 nC @ 10 V 640 pF@ 20 V, 970 pF@ -20 V - +150 °C - 16 (N) ns, 44 (P) ns 16 ns, 28 ns
Vishay IRFD210PBF N-channel MOSFET, 600 mA, 200 V, 4-Pin HVMDIP
  • RS-tuotekoodi 541-0531
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero IRFD210PBF
Vishay N 600 mA 200 V 1.5 Ω - 2V ±20 V HVMDIP Through Hole Single 4 Enhancement Power MOSFET 1 W 6.29mm Si - 5mm 5 x 6.29 x 3.37mm 3.37mm -55 °C 1 8.2 nC @ 10 V 140 pF @ 25 V - +150 °C - 8.2 ns 14 ns
Vishay SI1471DH-T1-GE3 P-channel MOSFET, 2.8 A, 30 V, 6-Pin SC-70
  • RS-tuotekoodi 710-3226
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SI1471DH-T1-GE3
Vishay P 2.8 A 30 V 100 mΩ - 0.6V ±12 V SC-70 Surface Mount Single 6 Enhancement Power MOSFET 1.5 W 1.25mm Si - 2mm 2 x 1.25 x 1mm 1mm -55 °C 1 6.5 nC @ 4.5 V 445 pF@ 15 V - +150 °C - 4 ns, 22 ns 20 ns, 23 ns
Vishay SIHP8N50D-GE3 N-channel MOSFET, 8.7 A, 500 V D Series, 3-Pin TO-220AB
  • RS-tuotekoodi 787-9181
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SIHP8N50D-GE3
Vishay N 8.7 A 500 V 850 mΩ - 3V ±30 V TO-220AB Through Hole Single 3 Enhancement Power MOSFET 156 W 4.65mm Si - 10.51mm 10.51 x 4.65 x 9.01mm 9.01mm -55 °C 1 15 nC @ 10 V 527 pF @ 100 V - +150 °C D Series 13 ns 17 ns
Vishay IRFL014PBF N-channel MOSFET, 2.7 A, 60 V, 4-Pin SOT-223
  • RS-tuotekoodi 540-9733
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero IRFL014PBF
Vishay N 2.7 A 60 V 200 mΩ - 2V ±20 V SOT-223 Surface Mount Single 4 Enhancement Power MOSFET 2 W 3.7mm Si - 6.7mm 6.7 x 3.7 x 1.45mm 1.45mm -55 °C 1 11 nC @ 10 V 300 pF@ 25 V - +150 °C - 10 ns 13 ns
Vishay IRF840APBF N-channel MOSFET, 8 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB
  • RS-tuotekoodi 542-9440
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero IRF840APBF
Vishay N 8 A 500 V 850 mΩ - 2V ±30 V TO-220AB Through Hole Single 3 Enhancement Power MOSFET 125 W 4.7mm Si - 10.41mm 10.41 x 4.7 x 9.01mm 9.01mm -55 °C 1 38 nC @ 10 V 1018 pF@ 25 V - +150 °C - 11 ns 26 ns
SI6966EDQ, Dual N-Channel MOSFET Transistor 4A 20V, 8-Pin TSSOP
  • RS-tuotekoodi 647-2580
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SI6966EDQ
Vishay - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Vishay IRFR9220PBF P-channel MOSFET, 3.6 A, 200 V, 3-Pin DPAK
  • RS-tuotekoodi 540-9698
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero IRFR9220PBF
Vishay P 3.6 A 200 V 1.5 Ω - 2V ±20 V DPAK Surface Mount Single 3 Enhancement Power MOSFET 2.5 W 6.22mm Si - 6.73mm 6.73 x 6.22 x 2.39mm 2.39mm -55 °C 1 20 nC @ 10 V 340 pF@ 25 V - +150 °C - 8.8 ns 7.3 ns
Vishay SI4840BDY-T1-GE3 N-channel MOSFET, 10 A, 40 V, 8-Pin SOIC
  • RS-tuotekoodi 710-4736
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SI4840BDY-T1-GE3
Vishay N 10 A 40 V 9 mΩ - 1V ±20 V SOIC Surface Mount Single 8 Enhancement Power MOSFET 1.56 W 4mm Si - 5mm 5 x 4 x 1.55mm 1.55mm -55 °C 1 18.5 nC @ 5 V - - +150 °C - 15 ns 50 ns
Vishay IRFR110PBF N-channel MOSFET, 4.3 A, 100 V, 3-Pin DPAK
  • RS-tuotekoodi 540-9581
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero IRFR110PBF
Vishay N 4.3 A 100 V 540 mΩ - 2V ±20 V DPAK Surface Mount Single 3 Enhancement Power MOSFET 2.5 W 6.22mm Si - 6.73mm 6.73 x 6.22 x 2.39mm 2.39mm -55 °C 1 8.3 nC @ 10 V 180 pF@ 25 V - +150 °C - 6.9 ns 15 ns
Vishay SI4190ADY-T1-GE3 N-channel MOSFET, 18 A, 100 V, 8-Pin SOIC
  • RS-tuotekoodi 787-9235
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SI4190ADY-T1-GE3
Vishay N 18 A 100 V 2.2 Ω - 1.5V ±20 V SOIC Surface Mount Single 8 Enhancement - 6 W 4mm Si - 5mm 5 x 4 x 1.5mm 1.5mm -55 °C 1 44.4 nC @ 10 V 1970 pF @ 50 V - +150 °C - 15 ns 34 ns
Vishay IRFD110PBF N-channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP
  • RS-tuotekoodi 541-1039
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero IRFD110PBF
Vishay N 1 A 100 V 540 mΩ - 2V ±20 V HVMDIP Through Hole Single 4 Enhancement Power MOSFET 1.3 W 6.29mm Si - 5mm 5 x 6.29 x 3.37mm 3.37mm -55 °C 1 8.3 nC @ 10 V 180 pF @ 25 V - +175 °C - 6.9 ns 15 ns
Vishay SIR462DP-T1-GE3 N-channel MOSFET, 19 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO
  • RS-tuotekoodi 710-3402
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SIR462DP-T1-GE3
Vishay N 19 A 30 V 8 mΩ - 1V ±20 V PowerPAK SO Surface Mount Single 8 Enhancement Power MOSFET 4.8 W 5.89mm Si - 4.9mm 4.9 x 5.89 x 1.04mm 1.04mm -55 °C 1 20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V 1155 pF@ 15 V - +150 °C - 20 ns 25 ns
Vishay SI4116DY-T1-GE3 N-channel MOSFET, 12.7 A, 25 V, 8-Pin SOIC
  • RS-tuotekoodi 710-3317
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SI4116DY-T1-GE3
Vishay N 12.7 A 25 V 9 mΩ - 0.6V ±12 V SOIC Surface Mount Single 8 Enhancement Power MOSFET 2.5 W 4mm Si - 5mm 5 x 4 x 1.55mm 1.55mm -55 °C 1 17.5 nC @ 4.5 V, 37 nC @ 10 V 1925 pF @ 15 V - +150 °C - 13 ns 50 ns
Vishay IRF510PBF N-channel MOSFET, 5.6 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB
  • RS-tuotekoodi 708-5134
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero IRF510PBF
Vishay N 5.6 A 100 V 540 mΩ - 2V ±20 V TO-220AB Through Hole Single 3 Enhancement Power MOSFET 43 W 4.7mm Si - 10.41mm 10.41 x 4.7 x 9.01mm 9.01mm -55 °C 1 8.3 nC @ 10 V 180 pF@ 25 V - +175 °C - 6.9 ns 15 ns
Vishay IRFD120PBF N-channel MOSFET, 1.3 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP
  • RS-tuotekoodi 541-1691
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero IRFD120PBF
Vishay N 1.3 A 100 V 270 mΩ - 2V ±20 V HVMDIP Through Hole Single 4 Enhancement Power MOSFET 1.3 W 6.29mm Si - 5mm 5 x 6.29 x 3.37mm 3.37mm -55 °C 1 16 nC @ 10 V 360 pF @ 25 V - +175 °C - 6.8 ns 18 ns
Vishay SI2301CDS-T1-GE3 P-channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23
  • RS-tuotekoodi 710-3238
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SI2301CDS-T1-GE3
Vishay P 2.3 A 20 V 112 mΩ - 0.4V ±8 V SOT-23 Surface Mount Single 3 Enhancement Power MOSFET 0.86 W 1.4mm Si - 3.04mm 3.04 x 1.4 x 1.02mm 1.02mm -55 °C 1 3.3 nC @ 2.5 V, 5.5 nC @ 4.5 V 405 pF @ 10 V - +150 °C - 11 ns 30 ns
Vishay SI2365EDS-T1-GE3 P-channel MOSFET, 4.7 A, 20 V, 3-Pin TO-236
  • RS-tuotekoodi 812-3139
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SI2365EDS-T1-GE3
Vishay P 4.7 A 20 V 67.5 mΩ - 0.4V ±8 V TO-236 Surface Mount Single 3 Enhancement Power MOSFET 1.7 W 1.4mm Si - 3.04mm 3.04 x 1.4 x 1.02mm 1.02mm -50 °C 1 23.8 nC @ 8 V - - +150 °C - 22 ns 65 ns
Vishay SI9945BDY-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET, 5.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC
  • RS-tuotekoodi 787-8995
  • Merkki Vishay
  • Valmistajan tuotenumero SI9945BDY-T1-GE3
Vishay N 5.3 A 60 V 72 mΩ - 1V ±20 V SOIC Surface Mount Isolated 8 Enhancement - 3.1 W 4mm Si - 5mm 5 x 4 x 1.5mm 1.5mm -55 °C 2 13 nC @ 10 V 665 pF @ 15 V - +150 °C - 15 ns 20 ns
Tarkista varastotilanteemme
Anna haluamasi määrä ja klikkaa 'Tarkista'. Varastosaldo päivitettiin
.
RS-tuotenumero:
Etsin 
Vertaa koko listaa
Voit vertailla korkeintaan 8 tuotetta kerraallaan

Tarkastele tai poista tuotteita Vertailusivulla
Näet nyt 1 - 20 kaikkiaan 718 tuloksesta