N-Channel MOSFET, 2.8 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 Diodes Inc ZXMS6006SGTA
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
IntelliFET
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+125 °C
Length
6.55mm
Width
3.55mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Height
1.65mm
Alkuperämaa
Germany
Tuotetiedot
IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 773,00
€ 0,773 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 970,12
€ 0,97 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
€ 773,00
€ 0,773 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 970,12
€ 0,97 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
IntelliFET
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+125 °C
Length
6.55mm
Width
3.55mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Height
1.65mm
Alkuperämaa
Germany
Tuotetiedot
IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.