Infineon BSC16DN25NS3GATMA1 IGBT, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
62.5 W
Package Type
PG-TDSON-8
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
8
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 5 000,00
€ 1,00 1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 6 275,00
€ 1,255 1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
€ 5 000,00
€ 1,00 1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 6 275,00
€ 1,255 1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
62.5 W
Package Type
PG-TDSON-8
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
8
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.