P-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP170PH6327XTSA1

RS tilauskoodi: 826-9250Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: BSP170PH6327XTSA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.9 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

SIPMOS®

Package Type

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

300 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

1.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Width

3.5mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.6mm

Tuotetiedot

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,81

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,017

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP170PH6327XTSA1
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 50.

Tuotanto -

Pakkauskoko 50.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

50

Pakkauskoko 50
50€ 40,50
100€ 60,00
150€ 90,00
200€ 120,00
250€ 139,75
300€ 167,70
350€ 195,65
400€ 223,60
450€ 251,55
500€ 259,00
550€ 284,90
600€ 310,80
650€ 336,70
700€ 362,60
750€ 388,50

€ 0,81

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,017

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP170PH6327XTSA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 50.

Tuotanto -

Pakkauskoko 50.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

50

Pakkauskoko 50
50€ 40,50
100€ 60,00
150€ 90,00
200€ 120,00
250€ 139,75
300€ 167,70
350€ 195,65
400€ 223,60
450€ 251,55
500€ 259,00
550€ 284,90
600€ 310,80
650€ 336,70
700€ 362,60
750€ 388,50

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
50 - 50€ 0,81€ 40,50
100 - 200€ 0,60€ 30,00
250 - 450€ 0,559€ 27,95
500 - 1200€ 0,518€ 25,90
1250+€ 0,487€ 24,35

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.9 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

SIPMOS®

Package Type

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

300 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

1.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Width

3.5mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.6mm

Tuotetiedot

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja