SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 1200 V AG-EASY1B-2 Infineon F423MR12W1M1B76BPSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
45 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
AG-EASY1B-2
Series
F4
Mounting Type
Chassis Mount
Maximum Drain Source Resistance
0.0225 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
5.55V
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 144,00
kpl (ilman ALV)
€ 180,72
kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
€ 144,00
kpl (ilman ALV)
€ 180,72
kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 4 | € 144,00 |
| 5 - 9 | € 142,00 |
| 10 - 14 | € 139,00 |
| 15 - 19 | € 136,00 |
| 20+ | € 133,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
45 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
AG-EASY1B-2
Series
F4
Mounting Type
Chassis Mount
Maximum Drain Source Resistance
0.0225 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
5.55V
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.