P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8.8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73mm
Width
6.22mm
Series
SIPMOS
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.41mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 4,73
€ 0,946 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 5,94
€ 1,187 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 4,73
€ 0,946 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 5,94
€ 1,187 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,946 | € 4,73 |
| 50+ | € 0,621 | € 3,10 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8.8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73mm
Width
6.22mm
Series
SIPMOS
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.41mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.