N-Channel MOSFET, 192 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN210N30P3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
192 A
Maximum Drain Source Voltage
300 V
Series
HiperFET, Polar3
Package Type
SOT-227
Mounting Type
Screw Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
14.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
1.5 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
25.07mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
38.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
268 nC @ 10 V
Height
9.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 47,10
1 kpl (10 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 59,11
1 kpl (10 kpl/putki) (Sis ALV:n)
10
€ 47,10
1 kpl (10 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 59,11
1 kpl (10 kpl/putki) (Sis ALV:n)
10
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
192 A
Maximum Drain Source Voltage
300 V
Series
HiperFET, Polar3
Package Type
SOT-227
Mounting Type
Screw Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
14.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
1.5 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
25.07mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
38.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
268 nC @ 10 V
Height
9.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.