NXP PRF957,115 NPN Transistor, 100 mA, 10 V, 3-Pin UMT

RS tilauskoodi: 626-3342Tuotemerkki: NXPValmistajan osanumero.: PRF957,115
brand-logo

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

NXP

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

100 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

10 V

Package Type

UMT

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

270 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Maximum Emitter Base Voltage

1.5 V

Maximum Operating Frequency

8500 MHz

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

1 x 2.2 x 1.35mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Alkuperämaa

Malaysia

Tuotetiedot

RF Bipolar Transistors, NXP

Bipolar Transistors, NXP

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,08

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,099

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

NXP PRF957,115 NPN Transistor, 100 mA, 10 V, 3-Pin UMT
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,08

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,099

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

NXP PRF957,115 NPN Transistor, 100 mA, 10 V, 3-Pin UMT
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

NXP

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

100 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

10 V

Package Type

UMT

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

270 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Maximum Emitter Base Voltage

1.5 V

Maximum Operating Frequency

8500 MHz

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

1 x 2.2 x 1.35mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Alkuperämaa

Malaysia

Tuotetiedot

RF Bipolar Transistors, NXP

Bipolar Transistors, NXP

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja