Dual N-Channel MOSFET, 6.5 A, 20 V, 8-Pin SOIC onsemi NTMD6N02G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
49 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,511
1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,634
1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
25
€ 0,511
1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,634
1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
25
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 0,511 | € 12,78 |
| 50 - 225 | € 0,42 | € 10,50 |
| 250 - 475 | € 0,341 | € 8,52 |
| 500 - 975 | € 0,297 | € 7,42 |
| 1000+ | € 0,265 | € 6,62 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
49 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.