N-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 onsemi FDY302NZ

RS tilauskoodi: 807-0729Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: FDY302NZ
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

600 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-523 (SC-89)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

625 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

1.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.8 nC @ 4.5 V

Width

0.98mm

Series

PowerTrench

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.78mm

Tuotetiedot

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,172

1 kpl (100 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,213

1 kpl (100 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 onsemi FDY302NZ
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,172

1 kpl (100 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,213

1 kpl (100 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 onsemi FDY302NZ
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
100 - 900€ 0,172€ 17,20
1000 - 2900€ 0,128€ 12,80
3000 - 8900€ 0,10€ 10,00
9000 - 23900€ 0,089€ 8,90
24000+€ 0,086€ 8,60

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

600 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-523 (SC-89)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

625 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

1.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.8 nC @ 4.5 V

Width

0.98mm

Series

PowerTrench

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.78mm

Tuotetiedot

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja