N-Channel MOSFET, 52 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 onsemi NTMYS7D3N04CLTWG
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
52 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
LFPAK, SOT-669
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
38 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
4.25mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
Height
1.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,956
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,20
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,956
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,20
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
52 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
LFPAK, SOT-669
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
38 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
4.25mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
Height
1.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.