Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
350 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.25V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.1 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Height
1.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,132
kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)
€ 0,164
kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)
200
€ 0,132
kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)
€ 0,164
kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)
200
Osta irtotavarana
Määrä | Yksikköhinta | Per Nauha |
---|---|---|
200 - 200 | € 0,132 | € 26,40 |
400 - 800 | € 0,121 | € 24,20 |
1000 - 1800 | € 0,113 | € 22,60 |
2000+ | € 0,104 | € 20,80 |
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
350 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.25V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.1 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Height
1.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot