SiC N-Channel MOSFET Transistor, 17 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 onsemi NVHL160N120SC1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
NVH
Package Type
TO-247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
0.16 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.3V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 6,40
1 kpl (450 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 8,032
1 kpl (450 kpl/putki) (Sis ALV:n)
450
€ 6,40
1 kpl (450 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 8,032
1 kpl (450 kpl/putki) (Sis ALV:n)
450
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
NVH
Package Type
TO-247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
0.16 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.3V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.