onsemi TIP120TU Dual NPN Darlington Transistor, 8 A 60 V HFE:1000, 3-Pin TO-220

RS tilauskoodi: 145-4629Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: TIP120TU
brand-logo
Näytä kaikki Darlington Pairs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

8 A

Maximum Collector Emitter Voltage

60 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

2

Minimum DC Current Gain

1000

Maximum Collector Base Voltage

60 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

4 V

Maximum Collector Cut-off Current

0.5mA

Length

10.67mm

Width

4.83mm

Maximum Power Dissipation

65 W

Dimensions

10.67 x 4.83 x 16.51mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

16.51mm

Tuotetiedot

Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,05

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 1,318

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

onsemi TIP120TU Dual NPN Darlington Transistor, 8 A 60 V HFE:1000, 3-Pin TO-220

€ 1,05

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 1,318

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

onsemi TIP120TU Dual NPN Darlington Transistor, 8 A 60 V HFE:1000, 3-Pin TO-220
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

8 A

Maximum Collector Emitter Voltage

60 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

2

Minimum DC Current Gain

1000

Maximum Collector Base Voltage

60 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

4 V

Maximum Collector Cut-off Current

0.5mA

Length

10.67mm

Width

4.83mm

Maximum Power Dissipation

65 W

Dimensions

10.67 x 4.83 x 16.51mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

16.51mm

Tuotetiedot

Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut