N-Channel MOSFET, 17 A, 250 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD17NF25
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Series
STripFET II
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
6.6mm
Width
6.2mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
29.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.4mm
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,65
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 2,071
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 1,65
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 2,071
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,65 | € 8,25 |
| 25 - 45 | € 1,60 | € 8,00 |
| 50 - 120 | € 1,40 | € 7,00 |
| 125 - 245 | € 1,30 | € 6,50 |
| 250+ | € 1,20 | € 6,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Series
STripFET II
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
6.6mm
Width
6.2mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
29.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.4mm
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.