N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STP10NK60ZFP

RS tilauskoodi: 485-7428Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STP10NK60ZFPIMPA: 0
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Channel Type

N

Transistor Material

Si

Pin Count

3

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Transistor Configuration

Single

Mounting Type

Through Hole

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

MDmesh, SuperMESH

Width

4.6mm

Maximum Power Dissipation

35 W

Package Type

TO-220FP

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Length

10.4mm

Height

9.3mm

Maximum Drain Source Resistance

750 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

50 nC @ 10 V

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 3,15

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 3,906

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STP10NK60ZFP
Valitse pakkaustyyppi

€ 3,15

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 3,906

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STP10NK60ZFP
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 5€ 3,15€ 15,75
10 - 95€ 2,70€ 13,50
100 - 495€ 2,10€ 10,50
500 - 995€ 1,75€ 8,75
1000+€ 1,50€ 7,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Channel Type

N

Transistor Material

Si

Pin Count

3

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Transistor Configuration

Single

Mounting Type

Through Hole

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

MDmesh, SuperMESH

Width

4.6mm

Maximum Power Dissipation

35 W

Package Type

TO-220FP

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Length

10.4mm

Height

9.3mm

Maximum Drain Source Resistance

750 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

50 nC @ 10 V

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja