SiC N-Channel MOSFET Module, 52 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STWA67N60M6

RS tilauskoodi: 202-5552Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STWA67N60M6
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

52 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

TO-247

Series

ST

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.045 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 5,70

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 7,154

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

SiC N-Channel MOSFET Module, 52 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STWA67N60M6

€ 5,70

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 7,154

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

SiC N-Channel MOSFET Module, 52 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STWA67N60M6
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

52 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

TO-247

Series

ST

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.045 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja