Toshiba 2SK209-Y(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 1.2 to 3.0mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)

RS tilauskoodi: 760-3126Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: 2SK209-Y(TE85L,F)
brand-logo
Näytä kaikki JFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

1.2 to 3.0mA

Maximum Drain Source Voltage

10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-50V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-346 (SC-59)

Pin Count

3

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Length

2.9mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Width

1.5mm

Tuotetiedot

N-channel JFET, Toshiba

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,395

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,496

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Toshiba 2SK209-Y(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 1.2 to 3.0mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,395

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,496

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Toshiba 2SK209-Y(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 1.2 to 3.0mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 90€ 0,395€ 3,95
100+€ 0,248€ 2,48

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

1.2 to 3.0mA

Maximum Drain Source Voltage

10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-50V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-346 (SC-59)

Pin Count

3

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Length

2.9mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Width

1.5mm

Tuotetiedot

N-channel JFET, Toshiba

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja