N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 6-Pin SC-70-6L Vishay Siliconix SiA106DJ-T1-GE3

RS tilauskoodi: 178-3901Tuotemerkki: Vishay SiliconixValmistajan osanumero.: SiA106DJ-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-70-6L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

19 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

1.35mm

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.9 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 7,35

€ 0,735 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 9,22

€ 0,922 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 6-Pin SC-70-6L Vishay Siliconix SiA106DJ-T1-GE3
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 7,35
20€ 14,70
30€ 22,05
40€ 29,40
50€ 33,10
60€ 39,72
70€ 46,34
80€ 52,96
90€ 59,58
100€ 62,40
110€ 68,64
120€ 74,88
130€ 81,12
140€ 87,36
150€ 93,60

€ 7,35

€ 0,735 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 9,22

€ 0,922 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 6-Pin SC-70-6L Vishay Siliconix SiA106DJ-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 7,35
20€ 14,70
30€ 22,05
40€ 29,40
50€ 33,10
60€ 39,72
70€ 46,34
80€ 52,96
90€ 59,58
100€ 62,40
110€ 68,64
120€ 74,88
130€ 81,12
140€ 87,36
150€ 93,60

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 40€ 0,735€ 7,35
50 - 90€ 0,662€ 6,62
100 - 490€ 0,624€ 6,24
500 - 990€ 0,586€ 5,86
1000+€ 0,514€ 5,14

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-70-6L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

19 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

1.35mm

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.9 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja