Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, 4 A, 12 V, 6-Pin SOT-363 SI1401EDH-T1-GE3

RS tilauskoodi: 180-7898Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SI1401EDH-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

0.034 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Number of Elements per Chip

1

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 8,60

€ 0,344 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 10,79

€ 0,432 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, 4 A, 12 V, 6-Pin SOT-363 SI1401EDH-T1-GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 8,60

€ 0,344 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 10,79

€ 0,432 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, 4 A, 12 V, 6-Pin SOT-363 SI1401EDH-T1-GE3

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

0.034 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Number of Elements per Chip

1

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja