N-Channel MOSFET, 5.6 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2318CDS-T1-GE3

RS tilauskoodi: 787-9036PTuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SI2318CDS-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.6 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

51 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

2.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

5.8 nC @ 10 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.02mm

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,116

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,144

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 5.6 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2318CDS-T1-GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,116

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,144

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 5.6 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2318CDS-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.6 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

51 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

2.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

5.8 nC @ 10 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.02mm

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja