N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SIS468DN-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
ThunderFET
Package Type
PowerPAK 1212-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.1 nC @ 10 V
Width
3.4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.12mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 9,00
€ 1,80 kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)
€ 11,30
€ 2,259 kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 9,00
€ 1,80 kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)
€ 11,30
€ 2,259 kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)
Standardi
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Nauha |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,80 | € 9,00 |
| 50 - 245 | € 1,65 | € 8,25 |
| 250 - 495 | € 1,55 | € 7,75 |
| 500 - 1245 | € 1,20 | € 6,00 |
| 1250+ | € 1,05 | € 5,25 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
ThunderFET
Package Type
PowerPAK 1212-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.1 nC @ 10 V
Width
3.4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.12mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.