Dual N-Channel MOSFET, 9 A, 20 V, 6-Pin U-DFN2030 Diodes Inc DMN2014LHAB-13
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
U-DFN2030
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
0.028 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Number of Elements per Chip
2
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,194
1 kpl (10000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,241
1 kpl (10000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
10000
€ 0,194
1 kpl (10000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,241
1 kpl (10000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
10000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
U-DFN2030
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
0.028 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Number of Elements per Chip
2
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.