Diodes Inc N-Channel MOSFET, 360 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 DMN53D0LDW-7
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
360 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
310 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 7,60
€ 0,076 1 kpl (100 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 9,54
€ 0,095 1 kpl (100 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
100
€ 7,60
€ 0,076 1 kpl (100 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 9,54
€ 0,095 1 kpl (100 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
100
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 100 - 400 | € 0,076 | € 7,60 |
| 500 - 900 | € 0,07 | € 7,00 |
| 1000 - 1900 | € 0,068 | € 6,80 |
| 2000 - 2900 | € 0,067 | € 6,70 |
| 3000+ | € 0,064 | € 6,40 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
360 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
310 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.