Diodes Inc P-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V, 3-Pin X1-DFN1212 DMP21D6UFD-7

RS tilauskoodi: 182-7329PTuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: DMP21D6UFD-7
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

600 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

X1-DFN1212

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.5V

Maximum Power Dissipation

800 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±8 V

Length

1.25mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.8 nC @ 8V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Width

1.25mm

Height

0.48mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 12,60

€ 0,063 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 15,81

€ 0,079 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V, 3-Pin X1-DFN1212 DMP21D6UFD-7
Valitse pakkaustyyppi

€ 12,60

€ 0,063 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 15,81

€ 0,079 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V, 3-Pin X1-DFN1212 DMP21D6UFD-7
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
200 - 400€ 0,063€ 6,30
500 - 900€ 0,051€ 5,10
1000 - 1900€ 0,046€ 4,60
2000+€ 0,043€ 4,30

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

600 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

X1-DFN1212

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.5V

Maximum Power Dissipation

800 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±8 V

Length

1.25mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.8 nC @ 8V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Width

1.25mm

Height

0.48mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja