Diodes Inc N-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 ZXMN2F34FHTA
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
1.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.8 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.12mm
Alkuperämaa
Germany
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 465,00
€ 0,155 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 583,58
€ 0,195 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 465,00
€ 0,155 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 583,58
€ 0,195 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
1.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.8 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.12mm
Alkuperämaa
Germany
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.