Infineon BFR106E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 210 mA, 16 V, 3-Pin SOT-23

RS tilauskoodi: 892-2324Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: BFR106E6327HTSA1
brand-logo

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

210 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

16 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

700 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Maximum Emitter Base Voltage

3 V

Maximum Operating Frequency

5 GHz

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

2.9 x 1.3 x 1mm

Tuotetiedot

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 18,60

€ 0,372 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 23,34

€ 0,467 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon BFR106E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 210 mA, 16 V, 3-Pin SOT-23
Valitse pakkaustyyppi

€ 18,60

€ 0,372 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 23,34

€ 0,467 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon BFR106E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 210 mA, 16 V, 3-Pin SOT-23
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
50 - 200€ 0,372€ 18,60
250 - 450€ 0,254€ 12,70
500 - 1200€ 0,204€ 10,20
1250 - 2450€ 0,168€ 8,40
2500+€ 0,131€ 6,55

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

210 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

16 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

700 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Maximum Emitter Base Voltage

3 V

Maximum Operating Frequency

5 GHz

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

2.9 x 1.3 x 1mm

Tuotetiedot

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja