Infineon IKW30N60H3FKSA1 IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
60 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
187 W
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Gate Capacitance
1630pF
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Energy Rating
1.72mJ
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 84,00
€ 2,80 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 105,42
€ 3,514 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 84,00
€ 2,80 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 105,42
€ 3,514 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 2,80 | € 84,00 |
| 60+ | € 2,65 | € 79,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
60 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
187 W
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Gate Capacitance
1630pF
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Energy Rating
1.72mJ
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.