Infineon IMZ1 N-Channel MOSFET, 4.7 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 IMZ120R350M1HXKSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.7 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
IMZ1
Package Type
TO-247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
350 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 112,50
€ 3,75 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 141,19
€ 4,706 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 112,50
€ 3,75 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 141,19
€ 4,706 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.7 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
IMZ1
Package Type
TO-247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
350 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.