Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 25 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD25N06S4L30ATMA2

RS tilauskoodi: 215-2503Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPD25N06S4L30ATMA2
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

OptiMOS™ -T2

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1 147,50

€ 0,459 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1 440,11

€ 0,576 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 25 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD25N06S4L30ATMA2

€ 1 147,50

€ 0,459 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1 440,11

€ 0,576 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 25 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD25N06S4L30ATMA2
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
2500 - 2500€ 0,459€ 1 147,50
5000+€ 0,436€ 1 090,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

OptiMOS™ -T2

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja