Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N06S4L11AATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SuperSO8 5 x 6 Dual
Series
OptiMOS™ -T2
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.0112 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 4 010,00
€ 0,802 1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 5 032,55
€ 1,007 1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
€ 4 010,00
€ 0,802 1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 5 032,55
€ 1,007 1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SuperSO8 5 x 6 Dual
Series
OptiMOS™ -T2
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.0112 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.