Infineon OptiMOS FD N-Channel MOSFET, 61 A, 250 V, 3-Pin TO-220 IPP220N25NFDAKSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
61 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Series
OptiMOS FD
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
65 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
4.57mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
15.95mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™ FD Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 157,50
€ 3,15 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 197,66
€ 3,953 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 157,50
€ 3,15 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 197,66
€ 3,953 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
61 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Series
OptiMOS FD
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
65 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
4.57mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
15.95mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™ FD Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.