Infineon N-Channel MOSFET, 38 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP60R099C6XKSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
38 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
CoolMOS™ C6
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
99 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.9mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
119 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
16.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 60,00
€ 6,00 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 75,30
€ 7,53 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
10
€ 60,00
€ 6,00 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 75,30
€ 7,53 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 10 - 18 | € 6,00 | € 12,00 |
| 20 - 48 | € 5,60 | € 11,20 |
| 50 - 98 | € 5,30 | € 10,60 |
| 100+ | € 4,85 | € 9,70 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
38 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
CoolMOS™ C6
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
99 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.9mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
119 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
16.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.