Infineon IRF7343PbF N/P-Channel-Channel MOSFET, 3.4 A, 4.7 A, 55 V Depletion, 8-Pin SO-8 IRF7343TRPBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3.4 A, 4.7 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Series
IRF7343PbF
Package Type
SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.065 Ω, 0.17 Ω
Channel Mode
Depletion
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4mm
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.3 nC @ 10 V, 24 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.5mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 852,00
€ 0,463 1 kpl (4000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 324,26
€ 0,581 1 kpl (4000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
4000
€ 1 852,00
€ 0,463 1 kpl (4000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 324,26
€ 0,581 1 kpl (4000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
4000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3.4 A, 4.7 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Series
IRF7343PbF
Package Type
SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.065 Ω, 0.17 Ω
Channel Mode
Depletion
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4mm
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.3 nC @ 10 V, 24 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.5mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.