Infineon HEXFET Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 2.3 A, 3.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF9952PBF

RS tilauskoodi: 300-701Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRF9952PBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

2.3 A, 3.5 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

HEXFET

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ, 250 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

6.1 nC @ 10 V, 6.9 nC @ 10 V

Width

4mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Length

5mm

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon

Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 57,50

€ 57,50 95 kpl:n putki (ilman ALV)

€ 72,16

€ 72,16 95 kpl:n putki (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 2.3 A, 3.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF9952PBF

€ 57,50

€ 57,50 95 kpl:n putki (ilman ALV)

€ 72,16

€ 72,16 95 kpl:n putki (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 2.3 A, 3.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF9952PBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
1 - 4€ 57,50
5 - 9€ 38,30
10 - 19€ 34,10
20 - 49€ 31,40
50+€ 27,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

2.3 A, 3.5 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

HEXFET

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ, 250 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

6.1 nC @ 10 V, 6.9 nC @ 10 V

Width

4mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Length

5mm

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon

Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut