Infineon N-Channel MOSFET, 1.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 IRLML2402TRPBF

RS tilauskoodi: 302-016PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRLML2402TRPBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.2 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Series

HEXFET

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

250 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.7V

Maximum Power Dissipation

540 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Typical Gate Charge @ Vgs

2.6 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

3.04mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.02mm

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET 12V to 25V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,99

€ 0,198 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 1,24

€ 0,248 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon N-Channel MOSFET, 1.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 IRLML2402TRPBF
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 0,99
10€ 1,98
15€ 2,97
20€ 3,96
25€ 4,95
30€ 5,94
35€ 6,93
40€ 7,92
45€ 8,91
50€ 9,90
55€ 10,89
60€ 11,88
65€ 12,87
70€ 13,86
75€ 14,85

€ 0,99

€ 0,198 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 1,24

€ 0,248 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon N-Channel MOSFET, 1.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 IRLML2402TRPBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 0,99
10€ 1,98
15€ 2,97
20€ 3,96
25€ 4,95
30€ 5,94
35€ 6,93
40€ 7,92
45€ 8,91
50€ 9,90
55€ 10,89
60€ 11,88
65€ 12,87
70€ 13,86
75€ 14,85

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.2 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Series

HEXFET

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

250 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.7V

Maximum Power Dissipation

540 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Typical Gate Charge @ Vgs

2.6 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

3.04mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.02mm

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET 12V to 25V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja