Infineon CoolMOS™ C3 N-Channel MOSFET, 11 A, 650 V, 3-Pin TO-220 FP SPA11N60C3XKSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-220 FP
Series
CoolMOS™ C3
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
33 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
45 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
4.85mm
Height
9.83mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 122,50
€ 2,45 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 153,74
€ 3,075 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 122,50
€ 2,45 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 153,74
€ 3,075 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,45 | € 122,50 |
| 100 - 200 | € 2,30 | € 115,00 |
| 250+ | € 2,15 | € 107,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-220 FP
Series
CoolMOS™ C3
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
33 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
45 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
4.85mm
Height
9.83mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.