IXYS IXGT40N120B2D1 IGBT, 75 A 1200 V, 3-Pin TO-268, Surface Mount
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSMaximum Continuous Collector Current
75 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Package Type
TO-268
Mounting Type
Surface Mount
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
16.05 x 14 x 5.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Hintaa ei saatavilla
1
Hintaa ei saatavilla
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSMaximum Continuous Collector Current
75 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Package Type
TO-268
Mounting Type
Surface Mount
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
16.05 x 14 x 5.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.